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场效应晶体管（Field Effect Transistor，简称FET）与晶体管（Bipolar Junction Transistor，简称BJT）是两种不同的半导体器件，它们在电子学中扮演着重要的角色。以下是它们之间的比较以及关于场效应晶体管的一些基本信息。
1、工作原理：晶体管主要依赖于PN结的电流控制特性来放大信号，而场效应晶体管则依赖于半导体材料的电场效应（也称为栅极电压控制）来控制电流，场效应晶体管通过改变电场来控制电流，而晶体管则是通过改变基极电流来控制集电极电流。
2、性能特点：场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声系数低、热稳定性好等优点，由于其电场控制特性，场效应晶体管在高频应用中表现出优势，晶体管则在低频率下具有更高的增益和更好的性能。
至于“场效应晶体管是属于什么”，场效应晶体管是一种半导体器件，更具体地说，它是利用电场效应来控制电流的半导体重构器件，根据所使用的半导体材料的不同，场效应晶体管可以分为结型场效应晶体管和金属半导体场效应晶体管两种类型。
仅供参考，如需更多关于这两种器件的比较以及场效应晶体管的具体信息，建议查阅相关电子学书籍或咨询电子学专家。